KLA P-17 探針式臺(tái)階儀

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀產(chǎn)品介紹：

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀是P系列探針式臺(tái)階儀的產(chǎn)品。該系統(tǒng)具備可編程掃描平臺(tái)、低噪聲電子分辨率，垂直范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高分辨率掃描，能夠覆蓋樣品表面整個(gè)區(qū)域。

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀的優(yōu)點(diǎn)包括200mm掃描平臺(tái)，可以在無(wú)需拼接的情況下測(cè)量整個(gè)基片。UltraLite傳感器組件結(jié)合了線性垂直測(cè)量和恒定力控制，可測(cè)量各種材料和地形。頂視圖和側(cè)視圖光學(xué)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的位置教學(xué)、圖案識(shí)別，并在測(cè)量過程中對(duì)探針進(jìn)行可視化。

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀將自動(dòng)化與可靠性相結(jié)合，適用于無(wú)需晶圓處理器的生產(chǎn)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括用于半導(dǎo)體、功率器件、無(wú)線技術(shù)、LED和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的AlTiC、GaAs、Si、SiC和藍(lán)寶石晶圓的臺(tái)階高度、粗糙度和應(yīng)力測(cè)量。

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 良好的重復(fù)性和重現(xiàn)性

• 不需要拼接，掃描長(zhǎng)度可達(dá)200mm

• 直接、獨(dú)立于材料的測(cè)量

• 自動(dòng)維護(hù)特征高度的應(yīng)用程序。

• 模式識(shí)別支持自動(dòng)測(cè)量，提高生產(chǎn)率。

• 支持用于自動(dòng)排序、結(jié)果報(bào)告和配方

• 數(shù)據(jù)庫(kù)控制的SecS/GEM要求

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀測(cè)量原理：

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀采用了LVDC 傳感器技術(shù)，LVDC傳感器利用電容的變化跟蹤表面地形。電容變化是由在兩個(gè)電容板之間移動(dòng)的薄金屬傳感器葉片的運(yùn)動(dòng)引起的。在探針跟蹤表面時(shí)，傳感器葉片的位置會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致電容的變化，然后將電容變化轉(zhuǎn)換為地形信號(hào)。LVDC 設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是質(zhì)量小，葉片線性運(yùn)動(dòng)，從而將滯后和摩擦降到很低。這種設(shè)計(jì)能夠在整個(gè)垂直范圍內(nèi)進(jìn)行精確、穩(wěn)定和高分辨率的測(cè)量 。

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀主要應(yīng)用：

KLA P-17 探針式臺(tái)階產(chǎn)品應(yīng)用：

臺(tái)階高度

根據(jù)傳感器組合動(dòng)態(tài)范圍，測(cè)量從納米到1mm的二維和三維臺(tái)階高度。量化在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、自旋涂層、CMP和其他過程中沉積或除去的材料。

紋理：粗糙度和波紋度

測(cè)量二維和三維紋理，同時(shí)量化樣品的粗糙度和波紋度。利用軟件濾波器對(duì)粗糙度和波紋分量進(jìn)行判別，并計(jì)算出均方根粗糙度等參數(shù)。

形式：弓和形狀

測(cè)量表面的2D形狀或弓，包括在器件制造過程中由于層應(yīng)力失配而產(chǎn)生的晶圓弓，例如在半導(dǎo)體或復(fù)合半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中多層沉積。測(cè)量曲面結(jié)構(gòu)的高度和半徑，如透鏡。

薄膜應(yīng)力

測(cè)量在具有多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件制造過程中引起的2D和3D應(yīng)力。2D應(yīng)力模式使用橫跨樣品直徑的單次掃描，而3D應(yīng)力模式在2D掃描之間旋轉(zhuǎn)θ級(jí)以測(cè)量整個(gè)樣品表面。

缺陷檢測(cè)

測(cè)量缺陷的形貌，如劃痕的深度。從缺陷檢查工具導(dǎo)入KLARF位置坐標(biāo)，以便自動(dòng)導(dǎo)航到特定的缺陷。使用缺陷評(píng)審應(yīng)用程序選擇用于2D或3D測(cè)量的單個(gè)缺陷。

KLA P-17 探針式臺(tái)階行業(yè)應(yīng)用：

半導(dǎo)體和復(fù)合半導(dǎo)體

測(cè)量前端到后端和包裝過程的表面形貌。這些應(yīng)用包括光致抗蝕劑厚度、蝕刻深度、濺射高度、CMP后形貌、粗糙度、樣品彎曲和應(yīng)力的測(cè)量。使用模式識(shí)別和自動(dòng)分析優(yōu)化測(cè)量精度，以完善生產(chǎn)過程控制。

LED和電源設(shè)備

測(cè)量圖案化工藝的臺(tái)階高度，包括MESA臺(tái)階高度、ITO臺(tái)階高度和接觸深度。測(cè)量可能導(dǎo)致裂紋和缺陷的襯底滾落、彎曲、外延粗糙度和外延薄膜應(yīng)力。使用缺陷審查應(yīng)用程序來區(qū)分滋擾或缺陷。

MEMS和光學(xué)電子

測(cè)量宏觀和微觀透鏡的臺(tái)階高度、曲率半徑和3D地形。測(cè)量波導(dǎo)和密集波分復(fù)用（DWDM）結(jié)構(gòu)的深度和表面粗糙度。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

描述薄膜頭晶片和滑塊、硬盤、光學(xué)和磁性介質(zhì)的特性。晶片應(yīng)用包括電鍍厚度、線圈高度和CMP平面度。滑塊應(yīng)用包括極性凹陷分析、空氣軸承腔測(cè)量和激光紋理凸塊表征，包括凸塊高度、寬度和深度分析。

通用應(yīng)用

使用KLA P-17 探針式表面輪廓儀進(jìn)行生產(chǎn)或研發(fā)。例如，測(cè)量織物安全特性或與吸收性相關(guān)的粗糙度。生物醫(yī)學(xué)示例包括導(dǎo)管表面紋理、醫(yī)用支架的測(cè)量消費(fèi)者電子應(yīng)用包括觸摸屏地形測(cè)量或玻璃屏幕上薄膜臺(tái)階高度測(cè)量。

KLA P-17 探針式臺(tái)階儀測(cè)量圖：